ACS Material CVD氧化矽基底石墨烯

產(chan) 品名稱

中文名稱：ACS Material CVD氧化矽基底石墨烯

英文名稱：CVD Graphene on SiO2 

性質

麵積：1cmx1cm、2cmx2cm、5cmx5cm、7cmx7cm

層數：單層、雙層、3-5層、6-8層

其他信息

Graphene on silicon dioxide (300nm)/Si wafer substrate was prepared by the following steps:

1)As-grown Monolayer graphene on copper foil

2)Deposite PMMA and Cure

3)Etch away Cu

4)Wash PMMA/Graphen in DI water

5)Place PMMA/Graphen on substrate

6)Redeposit PMMA and Cure

7)Remove PMMA with acetone

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