產(chan) 品名稱
中文名稱:ACS Material 一步轉移氮化硼薄膜
英文名稱:ACS Material Trivial Transfer Hexagonal Boron Nitride (h-BN)
性質
製備方法:CVD
晶粒尺寸:>4 um
備注:此款產(chan) 品屬於(yu) 單層氮化硼薄膜,單層率沒有具體(ti) 測量數據,通過電鏡圖片觀察大約在95%以上。
應用
HBN薄膜可被用作金屬絕緣金屬結構的超薄間隔層,以及電子的隧道阻擋層,使其具有廣泛的應用,例如納米電容器、場效應隧道晶體(ti) 管。作為(wei) 單分子膜還可被用作介質或基片。
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